低ESL片容
特征：
低感抗多层陶瓷电容器通过改变与端头结合部分的长宽比，做成低而宽的产品，提高电极的导电率和导电面积，降低ESR和ESL，减少电流变化的电压下降引起的电压干扰。从而使系统达到低损耗、高效率、高速运行的目的
适合回流焊接。
用途：
适用于高速微处理器
适用于芯片模块（MCM）中心流噪声的抑制。
适用于高速数字设备。
关注我们
特征：
低感抗多层陶瓷电容器通过改变与端头结合部分的长宽比，做成低而宽的产品，提高电极的导电率和导电面积，降低ESR和ESL，减少电流变化的电压下降引起的电压干扰。从而使系统达到低损耗、高效率、高速运行的目的
适合回流焊接。
用途：
适用于高速微处理器
适用于芯片模块（MCM）中心流噪声的抑制。
关注我们